ГОСТ 19834.4-79

Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения

Статус: Действует   Дата введения в действие: 01.07.1981


Обозначение

ГОСТ 19834.4-79

Полное обозначение

ГОСТ 19834.4-79

Заглавие на русском языке

Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения

Заглавие на английском языке

Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power

Дата введения в действие

01.07.1981

ОКС

31.080.10

Код ОКП

621000

Код КГС

Э29

Индекс рубрикатора ГРНТИ

470181;473331

Аннотация (область применения)

Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения

Ключевые слова

диоды полупроводниковые;диоды излучающие;диоды инфракрасные;измерение мощности излучения;аппаратура;обработка результатов

Термины и определения

Раздел стандарта

Вид стандарта

1 - Основополагающие стандарты

Содержит требования: СЭВ

СТ СЭВ 3788-82

Нормативные ссылки на: ГОСТ

ГОСТ 9411-91; ГОСТ 17616-82; ГОСТ 19834.0-75;

Управление Ростехрегулирования

530 - Отдел стандартизации и сертификации информационных технологий, продукции электротехники и приборостроения

Технический комитет России

303 - Электронная компонентная база, материалы и оборудование

Разработчик МНД

Российская Федерация

Межгосударственный ТК

303 - Изделия электронной техники, материалы и оборудование

Дата последнего издания

01.04.2000

Номер(а) изменении(й)

переиздание с изм. 1;2

Количество страниц (оригинала)

7

Статус

Действует

Код цены

1

Ограничение срока действия снято

Постановление Госстандарта № 217 от 05.03.91

Номер ТК за которым закреплен документ

303

Номер приказа о закреплении документа за ТК

217

Дата приказа о закреплении документа за ТК

31.01.2023